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助熔剂法根据晶体成核及生长的方式不同分为两大类：自发成核法和籽晶生长法 。
1、 自发成核法
按照获得过饱和度方法的不同助熔剂法又可分为缓冷法 、反应法和蒸发法。这些方法中以缓冷法设备最为简单，使用最普遍 。
缓冷法是在高温下 ，在晶体材料全部熔融于助熔剂中之后 ，缓慢地降温冷却，使晶体从饱和熔体中自发成核并逐渐成长的方法 。
2 、 籽晶生长法
籽晶生长法是在熔体中加入籽晶的晶体生长方法。主要目的是克服自发成核时晶粒过多的缺点，在原料全部熔融于助熔剂中并成为过饱和溶液后 ，晶体在籽晶上结晶生长。
根据晶体生长的工艺过程不同 ，籽晶生长法又可分为以下几种方法:
A.籽晶旋转法：由于助熔剂熔融后粘度较大，熔体向籽晶扩散比较困难 ，而采用籽晶旋转的方法可以起到搅拌作用 ，使晶体生长较快，且能减少包裹体 。此法曾用于生长卡善红宝石 。
B.顶部籽晶旋转提拉法:这是助熔剂籽晶旋转法与熔体提拉法相结合的方法。其原理是:原料在坩埚底部高温区熔融于助熔剂中 ，形成饱和熔融液 ，在旋转搅拌作用下扩散和对流到顶部相对低温区，形成过饱和熔液 ，在籽晶上结晶生长晶体 。随着籽晶的不断旋转和提拉 ，晶体在籽晶上逐渐长大 。该方法除具有籽晶旋转法的优点外，还可避免热应力和助熔剂固化加给晶体的应力。另外 ，晶体生长完毕后 ，剩余熔体可再加晶体材料和助熔剂继续使用 。
C.底部籽晶水冷法：助熔剂挥发性高，顶部籽晶生长难以控制，晶体质量也不好 。为了克服这些缺点 ，采用底部籽晶水冷技术 ，则能获得良好的晶体。水冷保证了籽晶生长，抑制了熔体表面和坩埚其它部位的成核 。这是因为水冷部位才能形成过饱和熔体 ，从而保证了晶体在籽晶上不断成长 。用此法可生长出质量良好的钇铝榴石晶体。
D.坩埚倒转法及倾斜法：这是两种基本原理相同的助熔剂生长晶体的方法 。当坩埚缓慢冷却至溶液达过饱和状态时 ，将坩埚倒转或倾斜，使籽晶浸在过饱和溶液中进行生长 ，待晶体生长结束后 ，再将坩埚回复到开始位置，使溶液与晶体分离 。
E.移动熔剂区熔法：这是一种采用局部区域熔融生长晶体的方法。籽晶和晶体原料互相连接的熔融区内含有助熔剂 ，随着熔区的移动(移动样品或移动加热器) ，晶体不断生长，助熔剂被排挤到尚未熔融的晶体原料一边。只要适当地控制生长速度和必要的生长气氛 ，用这种方法可以得到均匀的晶体 。
我的世界无中生有模组中增加了许多道具 ，坩埚就是其中之一，那么我的世界无中生有坩埚有什么用呢？下面小编就为大家带来我的世界无中生有坩埚介绍，一起来了解一下坩埚吧~
坩埚简介：
往坩埚里面丢入圆石或地狱岩可以制造岩浆 。每一块圆石可以制造250mB的岩浆 ，相当于四分之一桶量。每一块地狱岩可以制造1000mB 。
在其下方放置某些特定液体/火会改变制造速度 。
火把：0.1mB/t
岩浆：0.2mB/t
火：0.3mB/t
TE的烈焰之炽焱：静止0.7mB/t ，流动0.5mB/t
合成表：
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